M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件
產(chǎn)品特性:
◆采用Trench+Fieldstop技術(shù);
◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低;
◆低飽和壓降,導(dǎo)通損耗?。?/p>
◆關(guān)斷拖尾電流小,軟關(guān)斷特性;
◆正溫度系數(shù),適合并聯(lián);
◆高的短路電流能力(6us以上);
◆開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小;
◆TVj max 達175℃;
Type | VCES (V) | IC nom (A) | VCE (sat) (V) | Ptot (W) | Eoff (mJ) | RthJC (℃/W) | Packages | PDF資料 |
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MM15GT120B | 1200 | 15 | 1.85 | 230 | 0.9 | 0.65 | TO-247 | 預(yù)覽 下載 |
MM40G3T120B | 1200 | 40 | 1.90 | 405 | 2.8 | 0.37 | TO-247 | 預(yù)覽 下載 |
MM25G3T120B | 1200 | 25 | 1.8 | 306 | 1.8 | 0.49 | TO-247 | 預(yù)覽 下載 |
應(yīng)用領(lǐng)域