宏微科技“一種新型大功率NPT IGBT芯片和模塊的開發(fā)及產業(yè)化”榮獲中國電源學會科學技術獎-技術開發(fā)類一等獎

2015年11月6-9號，由中國電源學會主辦的“中國電源學會第二十一屆學術年會”在深圳成功舉辦。此次會議上，宏微科技申報的“一種新型大功率NPT IGBT芯片和模塊的開發(fā)及產業(yè)化”喜獲中國電源學會科技進步獎-技術開發(fā)類一等獎。

中國電源學會科學技術獎是為表彰在中國電源領域的科學研究、技術創(chuàng)新、新品開發(fā)、科技成果的推廣和應用等方面做出突出貢獻的個人和單位。宏微科技獲此殊榮，是中國電源學會和我國電源行業(yè)對宏微科技在自產IGBT芯片開發(fā)和產業(yè)化方面取得成績的充分肯定和鼓勵。宏微科技將一如既往，繼續(xù)努力，為打破進口品牌IGBT長期壟斷局面做出貢獻，促進國產IGBT產業(yè)化的快速發(fā)展，不辜負廣大電源用戶和功率半導體器件界朋友的期待。

兩年一屆的中國電源學會學術年會是中國電源界規(guī)模最大、級別最高的電源學術盛會，已有30多年歷史，在電源界具有廣泛影響。會議匯聚國內外電源界知名學者、企業(yè)和政府部門的高層人士以及在校研究生等專業(yè)人士，通過大會報告、分會場報告、張貼論文等形式，總結交流電源技術各個領域的新理論、新技術、新成果，展示目前電源技術的發(fā)展水平，探討今后的發(fā)展方向，促進中國電源產業(yè)的技術創(chuàng)新和技術進步。