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新品推介 | 宏微科技推出1700V IGBT產(chǎn)品，廣泛應用于高壓變頻、SVG、儲能等領域

應用場景介紹

級聯(lián)型H橋拓撲結構簡單，擴展靈活，目前已經(jīng)在高壓級聯(lián)型變頻器、靜止無功發(fā)生器SVG和級聯(lián)H橋型儲能系統(tǒng)中獲得了廣泛應用。


在工業(yè)應用中，電機作為風機、泵、壓縮機、皮帶機、破碎機等各種機械設備的驅動裝置，其耗電量巨大。采用級聯(lián)型變頻器與生產(chǎn)工藝相結合，可以顯著地降低電機能耗。


儲能系統(tǒng)中，高壓級聯(lián)技術通過多個儲能單元構成一套大功率、大電流儲能系統(tǒng)，省去變壓器環(huán)節(jié)直接接入電網(wǎng)，因此具有較高的循環(huán)效率，減少土地占用，并且避免傳統(tǒng)方式下電池模組之間荷電狀態(tài)不均衡的問題，減小長時間運行后的有效容量衰減。


SVG主要應用于提升電網(wǎng)的輸電容量及穩(wěn)定暫態(tài)電壓，也可實現(xiàn)輸配電網(wǎng)、風電和光伏電站無功調(diào)壓，礦山、石化、煤礦、等行業(yè)的功率因數(shù)控制、母線電壓閃變抑制及補償不平衡負荷、濾除負荷諧波電流，達到提高電能質量，節(jié)約用電的目的。
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針對以上兩種應用，宏微科技推出75A-450A不同電流等級的半橋模塊和75A-150A的H橋一體化模塊。通過每相采用單個或兩個及以上半橋模塊并聯(lián)，基本可以覆蓋3kV-10kV高壓變頻器的中小功率范圍和一部分大功率范圍、3kV-35kV級聯(lián)儲能系統(tǒng)的中等容量范圍、3kV-35kV SVG的中等容量范圍。同時針對小功率段的高壓變頻器，使用H橋一體化模塊，可以減少模塊使用數(shù)量，大幅削減鏈節(jié)體積，降低結構成本。



半橋拓撲模塊


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以MMG450WB170B6TC半橋模塊為例

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產(chǎn)品特點

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參數(shù)對比

1、常高溫下FRD壓降更低，熱阻更小；IGBT壓降與競品接近，但熱阻更小，從而使得整體發(fā)熱更小。

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2、常高溫下，相同速度開關損耗更小，尖峰更低，寄生電感更小。

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3、150℃，VGE=15V，Vcc=1000V條件下短路能力≥10us。 

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  3. 4、通過HV-H3TRB和硫化等高可靠性試驗

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H橋一體化模塊

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以MMG100W170HX6TC一體化模塊為例

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產(chǎn)品特點

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應用價值

以往高壓變頻器應用為了搭建H橋拓撲，需要用2個“半橋的IGBT模塊”和1個“整流二極管模塊”來進行組合構建，總計使用3個功率模塊。
使用宏微MMG100W170HX6TC一體化模塊，只用1個模塊即可完成3個模塊的工作，同時還內(nèi)置了NTC熱敏電阻，以輔助我們在實際工作中進行溫度監(jiān)控。

與原先方案對比，可實現(xiàn)的功能只多不少，而且1個一體化 IGBT模塊構成高壓變頻器的1個單元，使系統(tǒng)級聯(lián)設計變得更容易。

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如果運行條件完全相同，使用一體化新產(chǎn)品可以大幅削減鏈節(jié)體積，從而縮小整機體積，降低結構成本，優(yōu)化電氣特性。

總 結


宏微科技此次推出的1700V一系列產(chǎn)品，不僅在芯片性能上進行了改進，還在封裝形式上進行創(chuàng)新，有效地降低了功耗，提升了效率；還具有更出色的可靠性能力，HV-H3TRB、防硫化等使其在實際應用中表現(xiàn)更加優(yōu)秀。


我們相信，1700V這一系列的IGBT模塊將為工控、變頻、電能改善等領域的應用帶來更高的性能和可靠性，同時也將為行業(yè)發(fā)展帶來更多的創(chuàng)新和進步。